Продукція > ROHM > 2SC5876U3T106Q
2SC5876U3T106Q

2SC5876U3T106Q ROHM


ROHM-S-A0005723754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SC5876U3T106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+14.61 грн
500+ 9.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5876U3T106Q ROHM

Description: ROHM - 2SC5876U3T106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SC5876U3T106Q за ціною від 9.14 грн до 32.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC5876U3T106Q 2SC5876U3T106Q Виробник : ROHM ROHM-S-A0005723754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SC5876U3T106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+32.28 грн
32+ 25.26 грн
100+ 14.61 грн
500+ 9.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SC5876U3T106Q Виробник : Rohm Semiconductor 2SC5876U3T106Q
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1313+9.3 грн
Мінімальне замовлення: 1313
2SC5876U3T106Q Виробник : Rohm Semiconductor 2SC5876U3T106Q
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1091+11.18 грн
1128+ 10.82 грн
Мінімальне замовлення: 1091