2SC5866TLR

2SC5866TLR Rohm Semiconductor


2sc5866tlq-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 2A 500mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 47560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1122+10.88 грн
1285+ 9.5 грн
1352+ 9.03 грн
2000+ 8.65 грн
3000+ 7.71 грн
6000+ 7.12 грн
12000+ 6.77 грн
Мінімальне замовлення: 1122
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5866TLR Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 2A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: TSMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SC5866TLR за ціною від 9.06 грн до 35.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC5866TLR 2SC5866TLR Виробник : Rohm Semiconductor 2sc5866tlq-e.pdf Description: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.29 грн
6000+ 10.32 грн
9000+ 9.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SC5866TLR 2SC5866TLR Виробник : Rohm Semiconductor 2sc5866tlq-e.pdf Description: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 22525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.46 грн
11+ 27.57 грн
100+ 19.16 грн
500+ 14.04 грн
1000+ 11.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC5866TLR 2SC5866TLR Виробник : ROHM Semiconductor 2sc5866tlq-e.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 2A
на замовлення 8402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+35.16 грн
11+ 30.19 грн
100+ 18.34 грн
500+ 14.31 грн
1000+ 11.65 грн
3000+ 9.06 грн
Мінімальне замовлення: 10