2SC4617E3TLQ Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: NPN, SOT-416, 50V 150MA, GENERAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 24.42 грн |
| 19+ | 16.24 грн |
| 100+ | 7.91 грн |
| 500+ | 6.2 грн |
| 1000+ | 4.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC4617E3TLQ Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SC4617E3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 150mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2SC4617E3TLQ за ціною від 2.75 грн до 29.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC4617E3TLQ | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 50V 150mA, General Purpose Small Signal Amplifier |
на замовлення 5763 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC4617E3TLQ | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SC4617E3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC4617E3TLQ | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SC4617E3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| 2SC4617E3TLQ | Виробник : Rohm Semiconductor |
2SC4617E3TLQ |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
2SC4617E3TLQ | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NPN, SOT-416, 50V 150MA, GENERAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW |
товар відсутній |