Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2SC3649S-TD-E
2SC3649S-TD-E

2SC3649S-TD-E ON Semiconductor

223en2007-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3649S-TD-E ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PCP, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SC3649S-TD-E за ціною від 15.84 грн до 52.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E Виробник : onsemi en2007-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+22.66 грн
2000+ 19.44 грн
5000+ 18.41 грн
10000+ 16 грн
25000+ 15.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1419-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+23.07 грн
2000+ 21.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1419-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+24.87 грн
2000+ 22.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E Виробник : onsemi EN2007_D-2311156.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
на замовлення 16480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.36 грн
10+ 37.83 грн
100+ 26.27 грн
500+ 23.7 грн
1000+ 20.84 грн
2000+ 19.1 грн
5000+ 17.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E Виробник : onsemi en2007-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 36552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.77 грн
10+ 44.28 грн
100+ 30.69 грн
500+ 24.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1419-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній