2SC3646T-TD-E onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 13.86 грн |
| 2000+ | 11.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC3646T-TD-E onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PCP, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 500 mW.
Інші пропозиції 2SC3646T-TD-E за ціною від 10.11 грн до 40.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SC3646T-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 1A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PCP Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2SC3646T-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3646T-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 13406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2SC3646T-TD-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V |
на замовлення 2254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2SC3646T-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| 2SC3646T-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
2SC3646T-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 1A Power dissipation: 0.5W Case: SOT89 Current gain: 200...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
2SC3646T-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 1A Power dissipation: 0.5W Case: SOT89 Current gain: 200...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz |
товар відсутній |