Продукція > ONSEMI > 2SC3646S-TD-E

2SC3646S-TD-E onsemi

Name: 2SC3646S-TD-E
Brand: onsemi
SKU: 2797010-3
Price: 13.98 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1000+	16.24 грн
2000+	13.98 грн

Мінімальне замовлення: 1000

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2SC3646S-TD-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SC3646S-TD-E за ціною від 11.99 грн до 45.19 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

2SC3646S-TD-E

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 38000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1000+	17.71 грн
9000+	16.18 грн
18000+	15.06 грн
27000+	13.69 грн

Мінімальне замовлення: 1000

2SC3646S-TD-E

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
29+	20.72 грн
30+	20.3 грн
100+	17.09 грн
250+	11.99 грн

Мінімальне замовлення: 29

2SC3646S-TD-E

Виробник : ONSEMI

ONSM-S-A0014872450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	25.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

2SC3646S-TD-E

Виробник : onsemi

Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V

на замовлення 2962 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
8+	40.82 грн
10+	34.62 грн
100+	20.77 грн
500+	18.33 грн
1000+	14.91 грн
2000+	13.03 грн
10000+	12.96 грн

Мінімальне замовлення: 8

2SC3646S-TD-E

Виробник : onsemi

Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW

на замовлення 3175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
8+	42.97 грн
10+	35.43 грн
100+	24.64 грн
500+	18.05 грн

Мінімальне замовлення: 8

2SC3646S-TD-E

Виробник : ONSEMI

на замовлення 1131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
18+	45.19 грн
21+	37.68 грн
100+	23.38 грн
500+	19.17 грн
1000+	12.67 грн

Мінімальне замовлення: 18

2SC3646S-TD-E

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2SC3646S-TD-E

Виробник : ONSEMI

ONSMS36365-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 41362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2000+	14.62 грн

Мінімальне замовлення: 2000

2SC3646S-TD-E

Виробник : ON Semiconductor

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

2SC3646S-TD-E
Код товару: 172099

Транзистори > Біполярні NPN

товар відсутній

2SC3646S-TD-E

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

2SC3646S-TD-E

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

2SC3646S-TD-E

Виробник : ONSEMI

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

2SC3646S-TD-E

Виробник : ONSEMI

товар відсутній