Продукція > ONSEMI > 2SC3646S-P-TD-E
2SC3646S-P-TD-E

2SC3646S-P-TD-E onsemi

Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1109+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 1109
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3646S-P-TD-E onsemi

Description: TRANS NPN 100V 1A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PCP, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SC3646S-P-TD-E за ціною від 21.5 грн до 21.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC3646S-P-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS36365-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SC3646S-P-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+21.5 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SC3646S-P-TD-E 2SC3646S-P-TD-E Виробник : onsemi Description: TRANS NPN 100V 1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SC3646S-P-TD-E Виробник : ON Semiconductor EN2005-D-310414.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
товар відсутній