![2SC3598E 2SC3598E](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/3947/MFG_SGP15N60XKSA1.jpg)
2SC3598E onsemi
![SNYOS07619-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC3598E onsemi
Description: NPN SILICON TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V, Frequency - Transition: 500MHz, Supplier Device Package: TO-126, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 1.2 W.
Інші пропозиції 2SC3598E
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SC3598E | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |