![2SC3597D 2SC3597D](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/3735/MFG_MC78M05BTG.jpg)
2SC3597D onsemi
![SNYOS00129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1902+ | 11.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC3597D onsemi
Description: NPN SILICON TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 10V, Frequency - Transition: 800MHz, Supplier Device Package: TO-126, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.2 W.
Інші пропозиції 2SC3597D
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SC3597D | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |