Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > 2SC3585-T1B-A

2SC3585-T1B-A Renesas Electronics Corporation

Name: 2SC3585-T1B-A
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 11509166-3
Price: 25.64 UAH
Availability: InStock

Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete

на замовлення 417384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
833+	25.64 грн

Мінімальне замовлення: 833

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2SC3585-T1B-A Renesas Electronics Corporation

Description: NPN TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 9dB, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 35mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V, Frequency - Transition: 10GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236), Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції 2SC3585-T1B-A

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
2SC3585-T1B-A	Виробник : Renesas	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR	товар відсутній
2SC3585-T1B-A	Виробник : CEL	Description: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-23-3	товар відсутній
2SC3585-T1B-A	Виробник : CEL	Description: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-23-3	товар відсутній
2SC3585-T1B-A	Виробник : CEL	RF Bipolar Transistors NPN High Frequency	товар відсутній
2SC3585-T1B-A	Виробник : Renesas Electronics	RF Bipolar Transistors	товар відсутній