Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SC3326-B,LF
2SC3326-B,LF

2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3326_datasheet_en_20210625.pdf?did=19249&prodName=2SC3326 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.81 грн
6000+ 4.43 грн
9000+ 3.83 грн
30000+ 3.53 грн
75000+ 2.92 грн
150000+ 2.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-236, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 150 mW.

Інші пропозиції 2SC3326-B,LF за ціною від 3.32 грн до 28.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326_datasheet_en_20210625.pdf?did=19249&prodName=2SC3326 Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 198455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.71 грн
17+ 18 грн
100+ 9.1 грн
500+ 6.96 грн
1000+ 5.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Виробник : Toshiba 2SC3326_datasheet_en_20210625-1916336.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 55173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.31 грн
27+ 12.41 грн
100+ 5.43 грн
1000+ 4.51 грн
3000+ 3.88 грн
9000+ 3.46 грн
24000+ 3.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Виробник : Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Виробник : Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SC3326-B,LF Виробник : Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній