Продукція > ONSEMI > 2SC3143-4-TB-E
2SC3143-4-TB-E

2SC3143-4-TB-E onsemi

SNYOS07400-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
833+25.72 грн
Мінімальне замовлення: 833
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3143-4-TB-E onsemi

Description: TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 3mA, 30mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: 3-CP, Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 200 mW.

Інші пропозиції 2SC3143-4-TB-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC3143-4-TB-E Виробник : ON Semiconductor 2sa12571.pdf Trans RF BJT NPN 160V 0.08A 200mW 3-Pin CP
товар відсутній