2SC2712-OTE85LF

2SC2712-OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage


2SC2712_datasheet_en_20220203.pdf?did=19227&prodName=2SC2712 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.69 грн
6000+ 1.51 грн
9000+ 1.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC2712-OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO236, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: TO-236, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW.

Інші пропозиції 2SC2712-OTE85LF за ціною від 1.77 грн до 10.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC2712-OTE85LF 2SC2712-OTE85LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712_datasheet_en_20220203.pdf?did=19227&prodName=2SC2712 Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 23010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+10.03 грн
45+ 6.69 грн
100+ 3.25 грн
500+ 2.54 грн
1000+ 1.77 грн
Мінімальне замовлення: 31
2SC2712-OTE85LF 2SC2712-OTE85LF Виробник : Toshiba 2SC2712_datasheet_en_20220203-1916293.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 0.15A IC 50V Gen Purp Trans
на замовлення 5099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+10.82 грн
45+ 7.3 грн
109+ 2.64 грн
1000+ 1.85 грн
Мінімальне замовлення: 31
2SC2712-OTE85LF 2SC2712-OTE85LF Виробник : Toshiba 2sc2712_datasheet_en_20220203.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)