![2SB827R 2SB827R](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2740/MFG_2SK4221.jpg)
2SB827R onsemi
![SNYOS00725-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-3PB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 60 W
на замовлення 10358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
273+ | 77.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB827R onsemi
Description: PNP SILICON TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: TO-3PB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 7 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 60 W.
Інші пропозиції 2SB827R за ціною від 77.55 грн до 77.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SB827R | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|