![2SB825R 2SB825R](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/3947/MFG_SGP15N60XKSA1.jpg)
2SB825R onsemi
![SNYOS08273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 6125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
485+ | 43.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB825R onsemi
Description: PNP SILICON TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 7 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 40 W.
Інші пропозиції 2SB825R за ціною від 43.7 грн до 43.7 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SB825R | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 6125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SB825R |
![]() |
на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |