Продукція > ONSEMI > 2SB815-6-TB-E
2SB815-6-TB-E

2SB815-6-TB-E ONSEMI


ONSMS36980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB815-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 700 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 796944 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
202+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 202
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB815-6-TB-E ONSEMI

Description: TRANS PNP 15V 0.7A 3CP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: 3-CP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Power - Max: 200 mW.

Інші пропозиції 2SB815-6-TB-E за ціною від 3.87 грн до 6.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SB815-6-TB-E 2SB815-6-TB-E Виробник : ONSEMI ONSMS36980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SB815-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 700 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 796944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
202+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 202
2SB815-6-TB-E 2SB815-6-TB-E Виробник : onsemi en694-d.pdf Description: TRANS PNP 15V 0.7A 3CP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 794950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3139+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 3139
2SB815-6-TB-E 2SB815-6-TB-E Виробник : ON Semiconductor EN694_D-2310902.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 15V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SB815-6-TB-E
Код товару: 184952
en694-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2SB815-6-TB-E Виробник : ON Semiconductor 912en694-d.pdf Trans GP BJT PNP 15V 0.7A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
2SB815-6-TB-E 2SB815-6-TB-E Виробник : onsemi en694-d.pdf Description: TRANS PNP 15V 0.7A 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB815-6-TB-E 2SB815-6-TB-E Виробник : onsemi en694-d.pdf Description: TRANS PNP 15V 0.7A 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній