![2SB1260T100R 2SB1260T100R](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/638/SC-62_MPT3.jpg)
2SB1260T100R Rohm Semiconductor
![SOT89_DTDG.jpg](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS PNP 80V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 14.22 грн |
2000+ | 12.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1260T100R Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 1A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції 2SB1260T100R за ціною від 11.18 грн до 41.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SB1260T100R | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SB1260T100R | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2SB1260T100R | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SB1260 T100R | Виробник : ROHM | SOT89 |
на замовлення 236 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SB1260T100R | Виробник : ROHM |
![]() |
на замовлення 8150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
2SB1260T100R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 500mW; SC62,SOT89 Type of transistor: PNP Collector current: 1A Case: SC62; SOT89 Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 80V Power dissipation: 0.5W Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Polarisation: bipolar Current gain: 180...390 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
2SB1260T100R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 500mW; SC62,SOT89 Type of transistor: PNP Collector current: 1A Case: SC62; SOT89 Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 80V Power dissipation: 0.5W Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Polarisation: bipolar Current gain: 180...390 |
товар відсутній |