Продукція > ONSEMI > 2SB1215S-E
2SB1215S-E

2SB1215S-E onsemi

en2539-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
684+30.62 грн
Мінімальне замовлення: 684
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1215S-E onsemi

Description: TRANS PNP 100V 3A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: TP, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SB1215S-E за ціною від 27.46 грн до 78.7 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SB1215S-E 2SB1215S-E Виробник : onsemi EN2539_D-1803890.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 100V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 140-149 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+78.7 грн
10+ 69.65 грн
100+ 47.18 грн
500+ 38.89 грн
1000+ 30.11 грн
3000+ 28.09 грн
6000+ 27.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1215S-E 2SB1215S-E Виробник : ON Semiconductor 76en2539-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товар відсутній
2SB1215S-E 2SB1215S-E Виробник : onsemi en2539-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній