2SB1202S-E ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1202S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 37468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 27.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1202S-E ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2SB1202S-E за ціною від 35.44 грн до 43.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SB1202S-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
2SB1202S-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 3A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TP Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
2SB1202S-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V |
на замовлення 1217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||
 |
2SB1202S-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag |
товар відсутній |
|||||||
| 2SB1202S-E | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1W; IPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 3A Power dissipation: 1W Case: IPAK Current gain: 140...280 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 150MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
| 2SB1202S-E | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1W; IPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 3A Power dissipation: 1W Case: IPAK Current gain: 140...280 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 150MHz |
товар відсутній |