Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2SB1201S-TL-E
2SB1201S-TL-E

2SB1201S-TL-E ON Semiconductor

2sb1201.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+24.96 грн
25+ 24.56 грн
100+ 23.31 грн
250+ 21.23 грн
500+ 20.04 грн
Мінімальне замовлення: 24
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1201S-TL-E ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SB1201S-TL-E за ціною від 17.89 грн до 65.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1201.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
450+26.88 грн
457+ 26.45 грн
465+ 26.03 грн
472+ 24.69 грн
500+ 22.48 грн
Мінімальне замовлення: 450
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E Виробник : ONSEMI en2112-d.html Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+27.36 грн
500+ 22.43 грн
700+ 17.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E Виробник : onsemi en2112-d.html Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
700+32.82 грн
1400+ 25.75 грн
2100+ 24.24 грн
Мінімальне замовлення: 700
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E Виробник : ONSEMI en2112-d.html Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+47.22 грн
23+ 35.49 грн
100+ 27.36 грн
500+ 22.43 грн
700+ 17.89 грн
Мінімальне замовлення: 17
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E Виробник : onsemi en2112-d.html Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 5163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.06 грн
10+ 47.91 грн
100+ 37.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E Виробник : onsemi EN2112_D-2311119.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
на замовлення 15150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.05 грн
10+ 52.74 грн
100+ 35.68 грн
700+ 30.18 грн
1400+ 24.6 грн
2100+ 24.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1201.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1201.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній