![2SB1123T-TD-EX 2SB1123T-TD-EX](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/3607/MFG_R1170H151B-T1-FB.jpg)
2SB1123T-TD-EX onsemi
![ONSMS36737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: BIP PNP 2A 50V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1567+ | 13.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1123T-TD-EX onsemi
Description: BIP PNP 2A 50V, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: PCP, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW.
Інші пропозиції 2SB1123T-TD-EX за ціною від 13.6 грн до 13.6 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SB1123T-TD-EX | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|