![2SB1123T-TD-E 2SB1123T-TD-E](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/9B/59/D0/00/1/890297_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new_render3d.png&wat_scale=100p&ci_sign=a7901b0a46fef66a5d68f934251339dd1a3eaeb0)
2SB1123T-TD-E ONSEMI
![en1727-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 30.49 грн |
16+ | 23.96 грн |
68+ | 12.56 грн |
187+ | 11.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1123T-TD-E ONSEMI
Description: TRANS PNP 50V 2A SOT89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: PCP, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW.
Інші пропозиції 2SB1123T-TD-E за ціною від 10.8 грн до 40.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SB1123T-TD-E | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SB1123T-TD-E | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.5W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 2A Power dissipation: 0.5W Case: SOT89 Current gain: 200...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 815 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SB1123T-TD-E | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 1599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2SB1123T-TD-E | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SB1123T-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 728 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SB1123T-TD-E | Виробник : SANYO |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SB1123T-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2SB1123T-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
2SB1123T-TD-E | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
товар відсутній |