2SB1122S-TD-E ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 150MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 1A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 74585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 109+ | 7.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1122S-TD-E ONSEMI
Description: TRANS PNP 50V 1A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: PCP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW.
Інші пропозиції 2SB1122S-TD-E за ціною від 5.42 грн до 11.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SB1122S-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 74585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SB1122S-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 1A PCP Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 73000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2SB1122S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2SB1122S-TD-E | Виробник : SANYO |
09+ |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| 2SB1122S-TD-E | Виробник : SANYO |
SOT89 |
на замовлення 67000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| 2SB1122S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 50V |
на замовлення 5467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| 2SB1122S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| 2SB1122S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
2SB1122S-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 1A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
2SB1122S-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 1A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
товар відсутній |