2SAR574D3TL1 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - 2SAR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 10W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 39.57 грн |
| 500+ | 31.12 грн |
| 1000+ | 22.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SAR574D3TL1 ROHM
Description: ROHM - 2SAR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 10W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 2A, Übergangsfrequenz: 280MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SAR574D3TL1 за ціною від 21.5 грн до 95.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SAR574D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SAR574D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SAR574D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SAR574D3TL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP -80V -2A 10W Pwr trnstr Low VCE |
на замовлення 2088 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SAR574D3TL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SAR574D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 2A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W |
на замовлення 3503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SAR574D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2SAR574D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 2A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W |
товару немає в наявності |