2SAR512RTL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - 2SAR512RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 430MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 8738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 18.52 грн |
| 500+ | 13.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SAR512RTL ROHM
Description: ROHM - 2SAR512RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 2A, Übergangsfrequenz: 430MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2SAR512RTL за ціною від 10.3 грн до 40.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SAR512RTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 2A TSMT3 |
на замовлення 1736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SAR512RTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR512RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 430MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 8738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SAR512RTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP -30V -2A Driver Transistor |
на замовлення 4590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2SAR512RTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 2A; 500mW; SC96 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 2A Power dissipation: 0.5W Case: SC96 Current gain: 200...500 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 430MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
2SAR512RTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 2A TSMT3 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| 2SAR512RTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 2A; 500mW; SC96 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 2A Power dissipation: 0.5W Case: SC96 Current gain: 200...500 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 430MHz |
товар відсутній |