2SAR512P5T100 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 430MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 12.01 грн |
| 2000+ | 10.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SAR512P5T100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Dauer-Kollektorstrom: 2A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 2A, Übergangsfrequenz: 430MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SAR512P5T100 за ціною від 7.87 грн до 31.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SAR512P5T100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Dauer-Kollektorstrom: 2A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 2A Übergangsfrequenz: 430MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SAR512P5T100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 2A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 430MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SAR512P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 2A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 430MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 2630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SAR512P5T100 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP -30V Vceo -2A Ic MPT3 |
на замовлення 3332 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|