2SAR372P5T100Q ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 700mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 27.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SAR372P5T100Q ROHM
Description: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 700mA, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SAR372P5T100Q за ціною від 14.55 грн до 52.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SAR372P5T100Q | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SAR372P5T100Q | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP -0.7A -120V Middle Power Transistor. 2SAR372P5 is middle power transistor for low frequency amplifier. |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SAR372P5T100Q | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SAR372P5T100Q | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SAR372P5T100Q | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SAR372P5T100Q | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 120V 0.7A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: MPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
2SAR372P5T100Q | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 120V 0.7A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: MPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW |
товар відсутній |