Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SA2061(TE85L,F)
2SA2061(TE85L,F)

2SA2061(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

2SA2061_datasheet_en_20131101.pdf?did=20449&prodName=2SA2061 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER TRANSISTOR TSM MOQ=30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: TSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA2061(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: PB-F POWER TRANSISTOR TSM MOQ=30, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 53mA, 1.6A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Supplier Device Package: TSM, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2SA2061(TE85L,F) за ціною від 7.27 грн до 37.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SA2061(TE85L,F) 2SA2061(TE85L,F) Виробник : Toshiba 5572sa2061_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 20V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
828+14.78 грн
902+ 13.56 грн
1053+ 11.62 грн
1112+ 10.61 грн
2000+ 9.1 грн
3000+ 8.69 грн
6000+ 8.27 грн
Мінімальне замовлення: 828
2SA2061(TE85L,F) 2SA2061(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2061_datasheet_en_20131101.pdf?did=20449&prodName=2SA2061 Description: PB-F POWER TRANSISTOR TSM MOQ=30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: TSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.57 грн
12+ 25.2 грн
100+ 15.11 грн
500+ 13.13 грн
1000+ 8.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SA2061(TE85L,F) 2SA2061(TE85L,F) Виробник : Toshiba 2SA2061_datasheet_en_20131101-1649923.pdf Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TSM PD=1W F=1MHZ
на замовлення 4165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+37.53 грн
11+ 29.69 грн
100+ 17.63 грн
1000+ 10.23 грн
3000+ 8.68 грн
9000+ 7.97 грн
24000+ 7.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SA2061(TE85L,F) 2SA2061(TE85L,F) Виробник : Toshiba 5572sa2061_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 20V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R
товар відсутній
2SA2061(TE85L,F) 2SA2061(TE85L,F) Виробник : Toshiba 5572sa2061_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 20V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R
товар відсутній