на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 699+ | 17.25 грн |
| 725+ | 16.63 грн |
| 1000+ | 16.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2060(TE12L,F) Toshiba
Description: TRANS PNP 50V 2A PW-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V, Supplier Device Package: PW-MINI, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2SA2060(TE12L,F) за ціною від 11.53 грн до 45.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SA2060(TE12L,F) | Виробник : Toshiba |
 Trans GP BJT PNP 50V 2A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SA2060(TE12L,F) | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PD=2.5W F=1MHZ |
на замовлення 6635 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SA2060(TE12L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
2SA2060(TE12L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
2SA2060(TE12L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
2SA2060(TE12L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 50V 2A PW-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
2SA2060(TE12L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 50V 2A PW-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
товар відсутній |