![2SA2018E3TL 2SA2018E3TL](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5652/846%7EEMT3%7EE%7E3.jpg)
2SA2018E3TL Rohm Semiconductor
![2sa2018e3-e.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: PNP, SOT-416, -12V -0.5A, LOW VC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2018E3TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SA2018E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 260MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2SA2018E3TL за ціною від 4.22 грн до 39.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SA2018E3TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SA2018E3TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SA2018E3TL | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 260MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SA2018E3TL | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 260MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
2SA2018E3TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |