Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SA1971(TE12L,F)
2SA1971(TE12L,F)

2SA1971(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1971_datasheet_en_20131101.pdf?did=20431&prodName=2SA1971 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-FREE POWER TRANSISTOR PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.95 грн
10+ 34.08 грн
100+ 23.69 грн
500+ 17.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1971(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: PB-FREE POWER TRANSISTOR PW-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 35MHz, Supplier Device Package: PW-MINI, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SA1971(TE12L,F) за ціною від 12.17 грн до 55.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Виробник : Toshiba 2SA1971_datasheet_en_20131101-1649640.pdf Bipolar Transistors - BJT Pb-FREE POWER TRANSISTOR PW-MINI IC=-0.5A V=-400
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.22 грн
10+ 39.18 грн
100+ 25.49 грн
500+ 20.01 грн
1000+ 15.41 грн
2000+ 13.99 грн
10000+ 12.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Виробник : Toshiba 12152sa1971_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
215+55.2 грн
440+ 26.96 грн
482+ 24.59 грн
484+ 23.61 грн
595+ 17.81 грн
Мінімальне замовлення: 215
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Виробник : Toshiba 12152sa1971_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Виробник : Toshiba 12152sa1971_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товар відсутній
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Виробник : Toshiba 12152sa1971_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товар відсутній
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1971_datasheet_en_20131101.pdf?did=20431&prodName=2SA1971 Description: PB-FREE POWER TRANSISTOR PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній