Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SA1362-GR,LF
2SA1362-GR,LF

2SA1362-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1362_datasheet_en_20140301.pdf?did=19272&prodName=2SA1362 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 15V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 8mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1362-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 15V 0.8A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 8mA, 400mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Power - Max: 200 mW.

Інші пропозиції 2SA1362-GR,LF за ціною від 3.53 грн до 29.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SA1362-GR,LF 2SA1362-GR,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1362_datasheet_en_20140301.pdf?did=19272&prodName=2SA1362 Description: TRANS PNP 15V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 8mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 7311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.71 грн
17+ 18 грн
100+ 9.1 грн
500+ 6.96 грн
1000+ 5.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SA1362-GR,LF 2SA1362-GR,LF Виробник : Toshiba 2SA1362_datasheet_en_20140301-1627291.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP TRANSISTO
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+29.05 грн
17+ 19.96 грн
100+ 7.19 грн
1000+ 5.36 грн
3000+ 4.23 грн
9000+ 3.6 грн
24000+ 3.53 грн
Мінімальне замовлення: 12