2SA1179N6-CPA-TB-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.15A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS PNP 50V 0.15A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 6408525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6662+ | 3.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1179N6-CPA-TB-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SA1179N6-CPA-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 150mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2SA1179N6-CPA-TB-E за ціною від 4.43 грн до 4.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SA1179N6-CPA-TB-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1179N6-CPA-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 6408525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SA1179N6-CPA-TB-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 0.15A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
товар відсутній |