![2SA1163-GR,LF 2SA1163-GR,LF](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4849/264_SOT-23-3%20PKG.jpg)
2SA1163-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage
![2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.39 грн |
6000+ | 3.03 грн |
9000+ | 2.51 грн |
30000+ | 2.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1163-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 150 mW.
Інші пропозиції 2SA1163-GR,LF за ціною від 2.14 грн до 20.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SA1163-GR,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 53366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SA1163-GR,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 13659 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SA1163-GR,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
2SA1163-GR,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |