2PB710ASL-QR NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2PB710ASL-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 170hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: NEXPERIA - 2PB710ASL-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 170hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
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500+ | 6.73 грн |
1000+ | 4.28 грн |
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Технічний опис 2PB710ASL-QR NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2PB710ASL-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 170hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 2PB710ASL-QR за ціною від 4.28 грн до 28.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
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2PB710ASL-QR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2PB710ASL-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 170hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2PB710ASL-QR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 50V 0.5A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW |
товар відсутній |
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2PB710ASL-QR | Виробник : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 2PB710ASL-Q/SOT23/TO-236AB |
товар відсутній |