на замовлення 476000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16000+ | 3.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002PV,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2N7002PV,115 за ціною від 3.07 грн до 34.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N7002PV,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 476000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002PV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 476000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002PV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 476000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002PV,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002PV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002PV,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 23709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002PV,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs NRND for Automotive Applications 2N7002PV/SOT666/SOT6 |
на замовлення 18084 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002PV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002PV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| 2N7002PV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.25A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.5W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| 2N7002PV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.25A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.5W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |