2N7002NXBKR

2N7002NXBKR NEXPERIA


2n7002nxbk.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
422+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 422
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002NXBKR NEXPERIA

Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 310mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2N7002NXBKR за ціною від 1.22 грн до 14.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6225+1.94 грн
12000+ 1.77 грн
24000+ 1.65 грн
36000+ 1.5 грн
Мінімальне замовлення: 6225
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
292+2.05 грн
9000+ 1.55 грн
24000+ 1.41 грн
Мінімальне замовлення: 292
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia USA Inc. 2N7002NXBK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), 330mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.26 грн
6000+ 2.06 грн
9000+ 1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2740+2.73 грн
3000+ 2.08 грн
Мінімальне замовлення: 2740
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : NEXPERIA 2842564.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 310mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2674+2.8 грн
3000+ 2.13 грн
9000+ 1.61 грн
24000+ 1.22 грн
Мінімальне замовлення: 2674
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4110+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 4110
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
203+2.95 грн
3000+ 2.24 грн
9000+ 1.7 грн
Мінімальне замовлення: 203
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4011+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 4011
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3827+3.16 грн
5034+ 2.4 грн
9000+ 1.81 грн
Мінімальне замовлення: 3827
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : NEXPERIA 2842564.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
74+10.63 грн
101+ 7.78 грн
159+ 4.92 грн
500+ 2.76 грн
Мінімальне замовлення: 74
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : NEXPERIA 2N7002NXBK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 6110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+11.73 грн
48+ 7.7 грн
79+ 4.65 грн
100+ 3.99 грн
250+ 3.25 грн
610+ 1.4 грн
1678+ 1.32 грн
Мінімальне замовлення: 34
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia USA Inc. 2N7002NXBK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), 330mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
на замовлення 34535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+13.57 грн
33+ 8.93 грн
100+ 4.81 грн
500+ 3.55 грн
1000+ 2.47 грн
Мінімальне замовлення: 23
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2N7002NXBK-1623700.pdf MOSFETs 2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 337586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+13.58 грн
34+ 9.54 грн
100+ 3.9 грн
1000+ 2.58 грн
3000+ 2.09 грн
9000+ 1.74 грн
24000+ 1.32 грн
Мінімальне замовлення: 24
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
546+13.7 грн
1000+ 13.67 грн
3000+ 13.66 грн
6000+ 13.15 грн
15000+ 12.16 грн
30000+ 11.66 грн
Мінімальне замовлення: 546
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : NEXPERIA 2N7002NXBK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.07 грн
29+ 9.59 грн
50+ 5.58 грн
100+ 4.78 грн
250+ 3.9 грн
610+ 1.68 грн
1678+ 1.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
820+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 820
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній