Продукція > NEXPERIA > 2N7002NXAKR

2N7002NXAKR NEXPERIA

Name: 2N7002NXAKR
Brand: NEXPERIA
SKU: 23644-7
Price: 0.74 UAH
Availability: InStock

Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 11031 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
440+	0.74 грн

Мінімальне замовлення: 440

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2N7002NXAKR NEXPERIA

Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 265mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 265mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2N7002NXAKR за ціною від 1.02 грн до 10.58 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

2N7002NXAKR

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 14997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4348+	1.72 грн
6000+	1.02 грн

Мінімальне замовлення: 4348

2N7002NXAKR

Виробник : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	1.8 грн
6000+	1.64 грн
9000+	1.39 грн
30000+	1.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

2N7002NXAKR

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 14997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6522+	1.85 грн

Мінімальне замовлення: 6522

2N7002NXAKR

Виробник : NEXPERIA

Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 265mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
500+	1.87 грн
1500+	1.69 грн

Мінімальне замовлення: 500

2N7002NXAKR

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6330+	1.91 грн

Мінімальне замовлення: 6330

2N7002NXAKR

Виробник : NEXPERIA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.12A; Idm: 0.76A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.76A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

на замовлення 13335 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
120+	3.28 грн
150+	2.49 грн
250+	1.74 грн
705+	1.2 грн
1935+	1.13 грн

Мінімальне замовлення: 120

2N7002NXAKR

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 44031 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3192+	3.79 грн
5837+	2.07 грн
7110+	1.7 грн
9375+	1.24 грн
24000+	1.06 грн

Мінімальне замовлення: 3192

2N7002NXAKR

Виробник : NEXPERIA

на замовлення 13335 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
75+	3.94 грн
100+	3.1 грн
250+	2.08 грн
705+	1.44 грн
1935+	1.36 грн

Мінімальне замовлення: 75

2N7002NXAKR

Виробник : NEXPERIA

Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
98+	8.05 грн
121+	6.49 грн
159+	4.92 грн
500+	1.87 грн
1500+	1.69 грн

Мінімальне замовлення: 98

2N7002NXAKR

Виробник : Nexperia

MOSFETs 2N7002NXAK/SOT23/TO-236AB

на замовлення 1602272 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
34+	9.84 грн
46+	7.05 грн
100+	3.9 грн
1000+	1.74 грн
3000+	1.46 грн
9000+	1.18 грн
24000+	1.05 грн

Мінімальне замовлення: 34

2N7002NXAKR

Виробник : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V

на замовлення 65278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
29+	10.55 грн
41+	7.11 грн
100+	3.83 грн
500+	2.82 грн
1000+	1.96 грн

Мінімальне замовлення: 29

2N7002NXAKR

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 11031 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
57+	10.58 грн
78+	7.73 грн
123+	4.88 грн
1000+	2.11 грн
3000+	1.68 грн
9000+	1.26 грн

Мінімальне замовлення: 57

2N7002NXAKR

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2N7002NXAKR

Виробник : Nexperia Inc.

MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23

на замовлення 5285 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

2N7002NXAKR

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

2N7002NXAKR

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

2N7002NXAKR

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній