Інші пропозиції 2N6667G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N6667G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
2N6667G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
товар відсутній |
|
![]() |
2N6667G | Виробник : onsemi |
![]() |
товар відсутній |