2N6491 Harris Corporation
Виробник: Harris Corporation
Description: TRANS PNP 80V 15A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.8 W
Description: TRANS PNP 80V 15A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
148+ | 142.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N6491 Harris Corporation
Description: TRANS PNP 80V 15A TO220AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V, Frequency - Transition: 5MHz, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.8 W.
Інші пропозиції 2N6491 за ціною від 142.71 грн до 195.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N6491 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 15A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.8 W |
на замовлення 14256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2N6491 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N6491 - 2N6491, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 14256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2N6491 Код товару: 142992 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||||||
2N6491 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 15A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.8 W |
товар відсутній |
||||||
2N6491 | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 15A 80V 75W PNP |
товар відсутній |
||||||
2N6491 | Виробник : STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |
||||||
2N6491 | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |