2N6387G ON Semiconductor
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 43.27 грн |
15+ | 40.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N6387G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN DARL 60V 10A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V, Supplier Device Package: TO-220, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції 2N6387G за ціною від 33.1 грн до 106.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N6387G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N6387G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N6387G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 10A 60V Bipolar Power NPN |
на замовлення 5863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N6387G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 10A; 2W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 10A Power dissipation: 2W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N6387G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 60V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 1013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N6387G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 10A; 2W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 10A Power dissipation: 2W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N6387G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
2N6387G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
2N6387G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N6387G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |