![2N5830 2N5830](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4363/MFG_J113RL1.jpg)
2N5830 Fairchild Semiconductor
![FAIRS01267-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS NPN 100V 0.2A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 40597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6662+ | 3.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5830 Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 100V 0.2A TO92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 625 mW.
Інші пропозиції 2N5830 за ціною від 3.6 грн до 3.6 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N5830 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 40597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
2N5830 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
2N5830 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 625 mW |
товар відсутній |
|||||
![]() |
2N5830 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товар відсутній |