2N5551TFR

2N5551TFR ON Semiconductor


2n5551t-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16000+2.3 грн
18000+ 2.28 грн
Мінімальне замовлення: 16000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551TFR ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5551TFR за ціною від 2.37 грн до 26.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+2.53 грн
6000+ 2.4 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4673+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 4673
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+3.02 грн
4000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2569+4.69 грн
2596+ 4.64 грн
2623+ 4.6 грн
2913+ 3.99 грн
3276+ 3.29 грн
6000+ 2.76 грн
15000+ 2.37 грн
Мінімальне замовлення: 2569
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ONSEMI technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+4.87 грн
100+ 3.9 грн
275+ 3.06 грн
755+ 2.9 грн
Мінімальне замовлення: 80
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ONSEMI technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+5.85 грн
100+ 4.86 грн
275+ 3.68 грн
755+ 3.48 грн
10000+ 3.47 грн
Мінімальне замовлення: 50
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+16.66 грн
55+ 10.86 грн
56+ 10.75 грн
137+ 4.2 грн
250+ 3.85 грн
500+ 3.66 грн
1000+ 3.29 грн
3000+ 2.93 грн
6000+ 2.56 грн
Мінімальне замовлення: 36
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 4247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.55 грн
26+ 11.44 грн
100+ 7.13 грн
500+ 4.93 грн
1000+ 4.36 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : onsemi / Fairchild 2N5551T_D-2997661.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 17691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+26.44 грн
19+ 16.87 грн
100+ 6.26 грн
1000+ 4.45 грн
2000+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній