Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N5551TF
2N5551TF

2N5551TF ON Semiconductor

2n5551-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551TF ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5551TF за ціною від 2.09 грн до 26.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+2.67 грн
6000+ 2.66 грн
10000+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 12253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4386+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 4386
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4190+2.88 грн
6000+ 2.87 грн
10000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 4190
2N5551TF 2N5551TF Виробник : onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+3.01 грн
4000+ 2.59 грн
6000+ 2.44 грн
10000+ 2.12 грн
14000+ 2.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2983+4.04 грн
6000+ 3.87 грн
10000+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 2983
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ONSEMI technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+5.85 грн
100+ 4.09 грн
Мінімальне замовлення: 70
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ONSEMI technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+7.02 грн
100+ 5.1 грн
260+ 3.94 грн
705+ 3.72 грн
10000+ 3.64 грн
Мінімальне замовлення: 40
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 12253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45+13.32 грн
66+ 9.08 грн
67+ 8.99 грн
163+ 3.53 грн
250+ 3.24 грн
500+ 3.06 грн
1000+ 2.77 грн
3000+ 2.48 грн
6000+ 2.19 грн
Мінімальне замовлення: 45
2N5551TF 2N5551TF Виробник : onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 56468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.55 грн
26+ 11.37 грн
100+ 7.12 грн
500+ 4.92 грн
1000+ 4.35 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N5551TF 2N5551TF Виробник : onsemi / Fairchild 2N5551T_D-2997661.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 6890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+26.44 грн
18+ 17.91 грн
100+ 6.4 грн
1000+ 4.31 грн
2000+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній