![2N5551BU 2N5551BU](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/5/11/9/2/37/726/ons_/manual/to-92-3.jpg)
2N5551BU ON Semiconductor
на замовлення 15643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
127+ | 2.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5551BU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2N5551BU за ціною від 2.11 грн до 30.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N5551BU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N5551BU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N5551BU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N5551BU | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 475213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N5551BU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N5551BU | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 33974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N5551BU | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N5551BU | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 30...250 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N5551BU | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 30...250 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 100MHz |
товар відсутній |