2N5551BU

2N5551BU ON Semiconductor


2n5551t-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 15643 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
127+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 127
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551BU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2N5551BU за ціною від 2.11 грн до 30.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N5551BU 2N5551BU Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 15520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2337+5.17 грн
3897+ 3.1 грн
4226+ 2.86 грн
10000+ 2.56 грн
Мінімальне замовлення: 2337
2N5551BU 2N5551BU Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2200+5.49 грн
3668+ 3.29 грн
3990+ 3.03 грн
Мінімальне замовлення: 2200
2N5551BU 2N5551BU Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 15643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+17.3 грн
51+ 11.85 грн
125+ 4.81 грн
1000+ 2.78 грн
2500+ 2.37 грн
10000+ 2.12 грн
Мінімальне замовлення: 35
2N5551BU 2N5551BU Виробник : onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 475213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+17.34 грн
25+ 11.69 грн
100+ 5.71 грн
500+ 4.47 грн
1000+ 3.11 грн
2000+ 2.69 грн
5000+ 2.46 грн
10000+ 2.11 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N5551BU 2N5551BU Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+18.33 грн
48+ 12.55 грн
118+ 5.1 грн
1000+ 2.95 грн
2500+ 2.51 грн
Мінімальне замовлення: 33
2N5551BU 2N5551BU Виробник : onsemi / Fairchild 2N5551T_D-2997661.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 33974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+18.94 грн
25+ 12.9 грн
100+ 4.6 грн
1000+ 2.79 грн
2500+ 2.58 грн
10000+ 2.51 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N5551BU 2N5551BU Виробник : ONSEMI ONSMS13513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+30.1 грн
39+ 20.25 грн
102+ 7.72 грн
500+ 5.49 грн
1000+ 3.5 грн
5000+ 3.44 грн
Мінімальне замовлення: 26
2N5551BU 2N5551BU Виробник : ONSEMI 2N5551.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
2N5551BU 2N5551BU Виробник : ONSEMI 2N5551.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
товар відсутній