2N5322 SOLID STATE
Виробник: SOLID STATEDescription: SOLID STATE - 2N5322 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -75V TO-39
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 0
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 1MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 80.52 грн |
| 500+ | 76.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5322 SOLID STATE
Description: MULTICOMP PRO - 2N5322 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 75 V, 2 A, 10 W, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 75V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2N5322 за ціною від 67.59 грн до 182.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N5322 | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N5322 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 75 V, 2 A, 10 W, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 75V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
2N5322 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 75V 1.2A 1000mW 3-Pin TO-39 |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
2N5322 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 75V 2A 10000mW 3-Pin TO-5 |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
2N5322 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 75V 2A 10000mW 3-Pin TO-5 |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
2N5322 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 75V 2A 10000mW 3-Pin TO-5 |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
2N5322 | Виробник : Central Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 75V 2A 10000mW 3-Pin TO-39 Box |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
2N5322 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 75V 2A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V Power - Max: 10 W |
товар відсутній |
|||||||||||
| 2N5322 | Виробник : STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT TO-39 PNP GEN PUR SS |
товар відсутній |
||||||||||||
| 2N5322 | Виробник : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товар відсутній |
||||||||||||
| 2N5322 | Виробник : onsemi | onsemi |
товар відсутній |