Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N5191G
2N5191G

2N5191G ON Semiconductor

2n5191-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 27
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5191G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2N5191G за ціною від 21.67 грн до 60.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N5191G 2N5191G Виробник : ONSEMI 2N5191.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+42.22 грн
11+ 34.85 грн
25+ 33.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N5191G 2N5191G Виробник : ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
286+42.29 грн
333+ 36.29 грн
500+ 32.48 грн
1000+ 27.2 грн
2000+ 24.79 грн
Мінімальне замовлення: 286
2N5191G 2N5191G Виробник : ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+44.56 грн
16+ 39.27 грн
100+ 33.7 грн
500+ 29.08 грн
1000+ 23.38 грн
2000+ 22.09 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N5191G 2N5191G Виробник : onsemi 2N5191_D-2309067.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN
на замовлення 22372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+45.37 грн
10+ 38.79 грн
100+ 28.78 грн
500+ 25.79 грн
1000+ 21.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N5191G 2N5191G Виробник : ONSEMI 2N5191.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+50.66 грн
10+ 43.42 грн
25+ 40.51 грн
29+ 35.11 грн
80+ 33.19 грн
500+ 32.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N5191G 2N5191G Виробник : ONSEMI 2n5191-d.pdf Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+52.61 грн
18+ 44.56 грн
100+ 34.56 грн
500+ 28.75 грн
1000+ 23.79 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N5191G 2N5191G Виробник : onsemi 2n5191-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 2163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.31 грн
10+ 47.4 грн
100+ 36.86 грн
500+ 29.32 грн
1000+ 23.88 грн
2000+ 22.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N5191G 2N5191G Виробник : ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5191G 2N5191G Виробник : ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5191G 2N5191G Виробник : ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній