Технічний опис 2N4998 MOTOROLA
Description: POWER BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud, Mounting Type: Stud Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200µA, 1mA, Supplier Device Package: TO-59, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 35 W.
Інші пропозиції 2N4998
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N4998 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans GP BJT NPN 80V 2A 3-Pin TO-59 |
товару немає в наявності |
|
| 2N4998 | Виробник : Microchip Technology |
Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200µA, 1mA Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 35 W |
товару немає в наявності |