Продукція > ON-SEMICODUCTOR > 2N4401G

2N4401G ON-Semicoductor

2n4401-d.pdf Виробник: ON-Semicoductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 2N4401RLRAG 2N4401G ONS T2N4401 ONS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N4401G ON-Semicoductor

Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO92, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N4401G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N4401G 2N4401G Виробник : ON Semiconductor 2n4401-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box
товару немає в наявності
2N4401G 2N4401G Виробник : onsemi 2n4401-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
2N4401G 2N4401G Виробник : onsemi 2N4401_D-1802226.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN
товару немає в наявності