Технічний опис 2N4001 MOTOROLA
Description: POWER BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100µA, 500µA, Supplier Device Package: TO-5AA, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2N4001
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N4001 | Виробник : MOT | CAN |
на замовлення 841 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
2N4001 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans GP BJT NPN 100V 1A 3-Pin TO-5 |
товар відсутній |
|
 |
2N4001 | Виробник : Microchip Technology |
Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100µA, 500µA Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
товар відсутній |
|
| 2N4001 | Виробник : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товар відсутній |